據日經報道，日本計劃預算 3500 億日元(約 171.5 億元人民幣或 23.8 億美元)與美國開展下一代半導體開發(fā)研究合作。

　　最新法案還包括 1 萬億日元的預算，將用于電池、永磁體和稀土供應鏈的多元化。日本首相岸田文雄宣布將在包括半導體在內的下一代領域投資 3 萬億日元，預計在電池和機器人方面的投資將略低于 1 萬億日元。

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　　該聯(lián)合研究中心將于今年年底成立，目標是在 20 年代后半期開發(fā)并具備大規(guī)模生產 2 納米芯片先進半導體的能力。

　　參與的日本公司的名稱和其它細節(jié)將于本月公布。東京大學、國立先進工業(yè)科學技術研究所和理研研究所以及美國和歐洲的公司和研究機構將參加。

　　據介紹，這筆支出包含在本財年的二次補充預算法案中，其中還將包括 4500 億日元用于日本先進半導體生產中心(如果算上去年追加預算中的 6170 億日元在內，這項工作的支出將超過 1 萬億日元)，以及 3700 億日元用于確保造芯片必不可少的材料。

　　目前日本政府已經批準了對臺積電、鎧俠和美國美光科技的補貼，以在日本建立工廠，生產數據中心、人工智能和其它尖端技術所需的半導體。
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