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三星計(jì)劃在本月宣布量產(chǎn)3nm工藝 或?qū)⒊蔀槿虻谝粋€(gè)量產(chǎn)3nm工藝的半導(dǎo)體廠商

發(fā)布時(shí)間:2022-06-23 10:59:59來源:TechWeb

  據(jù)韓聯(lián)社,消息人士稱三星計(jì)劃在 6 月最后一周宣布量產(chǎn) 3nm 工藝的消息,屆時(shí)三星將會成為全球第一個(gè)量產(chǎn) 3nm 工藝的半導(dǎo)體廠商。臺積電的 3nm 計(jì)劃是 2022 年下半年量產(chǎn)

  當(dāng)然,兩家公司都在全力推進(jìn) 3nm 工藝的量產(chǎn),兩家公司是都計(jì)劃在今年量產(chǎn)。

  而韓國媒體根據(jù)最新的消息報(bào)道稱,三星電子有望在下周宣布 3nm 制程制程工藝的量產(chǎn)事宜。

  如果三星電子真如外媒報(bào)道的那樣,在下周宣布 3nm 工藝量產(chǎn),他們在這一制程工藝上,就將先于臺積電實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺積電的 3nm 工藝在去年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),正按計(jì)劃推進(jìn)在今年下半年量產(chǎn)。

  在競爭激烈的 3nm 制程工藝方面,三星電子和臺積電的技術(shù)路線并不相同,三星電子率先采用全環(huán)繞柵極晶體管,臺積電則是繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。

  外媒在報(bào)道中提到,三星電子此前曾表示,采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝,同當(dāng)前的鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)相比,性能將提升 30%,能耗降低 50%,邏輯面積效率提升超過 45%。

  三星電子的 3nm 制程工藝有望先于臺積電量產(chǎn),在 5 月初也曾出現(xiàn)過。當(dāng)時(shí)就有外媒在報(bào)道中表示,三星在推進(jìn) 3nm 工藝在二季度量產(chǎn),如果能順利實(shí)現(xiàn),就將先于臺積電量產(chǎn)。而二季度到下周四就將結(jié)束,如果三星電子要在二季度量產(chǎn),就需要在下周四之前量產(chǎn)。
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